Simone巨磁阻抗效应
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巨磁阻抗效应指磁性材料的交流阻抗随外加直流磁场显著变化的物理现象，1992年由日本名古屋大学K.Mohri教授团队在CoFeSiB软磁非晶丝（Co基非晶丝材料）中首次发现 。其阻抗变化率在弱磁场（80～800A/m）下可达90% 。该效应源自高频电流趋肤深度与材料磁导率的关联 ，具有灵敏度高、响应快、无磁滞等特性 。
研究陆续在复合结构丝、纳米微晶等材料中观测到该效应 。异质复合结构丝在较低频率下即可获得较大的GMI值以及较高的磁场灵敏度 。2002年Mohri团队研制出超低功耗CMOS-IC型传感器，后续各国开发出数字化、集成化检测方案。西安交通大学团队采用商用电感构建LC谐振电路，实现41036%的磁阻抗变化和625pT@1Hz磁场分辨力 。基于软磁非晶丝的GMI传感器具有微型化、高灵敏度、快速响应、高温度稳定性和低功耗等特点 ，文献报道的最优传感器噪声已优于2 pT/Hz^1/2 。应用涵盖材料无损检测、核设施磁性评价以及汽车测速、电喷发动机点火等工业自动化控制领域 。
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